안녕하세요, 여러분!
요즘 반도체 시장에서 가장 뜨거운 이슈 중 하나는 바로 고대역폭메모리, 즉 HBM(High Bandwidth Memory)이에요.
그런데, HBM을 제조할 때 꼭 필요한 장비가 있다는 거 아셨나요?
바로 TC 본더(Thermo‑Compression Bonder)인데요.
최근 J.P.모건 보고서에 따르면, 한미반도체(Hanmi Semiconductor)가 2026년 TC 본더 시장의 71%를 차지할 것으로 전망되며 시장의 이목을 끌고 있어요.
오늘은 왜 TC 본더가 이렇게 중요한지, HBM은 어떻게 만들어지는지, 그리고 하이브리드 본딩과의 기술 경쟁까지 모두 풀어볼게요 💡
📊 “Hanmi’s share in TC bonder market will reach 71% by 2026.” — J.P. Morgan
HBM은 AI 반도체의 핵심 메모리로 주목받고 있고, 그 생산 공정에서 TC 본더는 없어선 안 될 필수 장비로 꼽혀요.
한미반도체는 이 시장에서 압도적 기술력과 고객 신뢰를 기반으로 글로벌 선두를 달리고 있답니다.
📌 HBM은 어떻게 만들어질까?
HBM은 여러 개의 DRAM 다이를 수직으로 쌓아올린 3D 구조의 고대역폭 메모리예요.
데이터 처리 속도가 빠르고 전력 소모가 낮아 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 자율주행 등에서 많이 사용돼요.
🧱 HBM 제조 핵심 단계
- DRAM 다이 가공 및 TSV(Through Silicon Via) 처리
- 다이 간 연결을 위한 Micro-Bump 형성
- 다이들을 수직으로 정렬하고 TC 본더로 접합
- 실링 및 패키징 후 GPU 또는 인터포저와 통합
🔧 여기서 가장 핵심적인 접합 공정이 바로 TC 본더가 담당하는 마이크로 범프 본딩(Micro-Bump Bonding)**이에요!
🛠️ TC 본더는 어떤 역할을 할까?
TC 본더는 Thermo-Compression Bonder의 약자로,
고온과 압력을 동시에 가해 다이와 다이 사이를 마이크로 범프로 정밀하게 접합하는 장비예요.
✅ 주요 기능
- 다이 정렬 정밀도: 오차 범위 수 µm 이내
- 열+압력 기반 압착 접합: Micro-bump를 통해 전기·기계적 연결 형성
- 고수율 구현: HBM의 스택 수가 많을수록 TC 본더의 성능이 중요해짐
HBM4 이후에는 16스택 이상 구조가 예상되면서, 정밀한 수직 정렬 기술은 점점 더 중요한 과제가 되고 있어요.
📈 한미반도체, 왜 71% 점유율이 가능한가?
한미는 이미 HBM3E용 TC 본더 시장의 약 90%를 점유하고 있다고 알려져 있어요.
2025~26년부터는 HBM4용 장비 공급 확대와 신규 공장 가동으로 점유율 71% 이상 확보가 가능할 것으로 전망되고 있어요.
🔍 주요 경쟁력 요약
- SK하이닉스, Micron 등 글로벌 고객사 확보
- 다양한 접합 공정(MR-MUF, 플럭스, Micro-Bump) 지원
- 2024년 7공장 증설 착수
- 수율 우위 기반 25~28% 가격 인상에도 수주 지속
⚔️ 경쟁사는 어떤 전략을 쓰고 있을까?
Hanwha Semitech
- 2025년 SK에 TC 본더 14대 공급 계약 체결
- 기존 납 기반 범프(Micro-Bump) 공정 대응
- Hybrid Bonding 대응 장비도 개발 중
ASMPT
- 2024년 SK에 TC 본더 공급 시작
- 글로벌 네트워크 기반 기술 경쟁력 확보 중
- 아직 점유율은 낮지만 SK의 공급 다변화 전략에 따라 확장 기대
🔮 하이브리드 본딩은 TC 본더를 대체할까?
최근에는 Hybrid Bonding(하이브리드 본딩)이라는 새로운 접합 방식도 주목받고 있어요.
Hybrid Bonding은 bump 없이 금속 대 금속(Cu–Cu) 접합을 통해 더 얇고 고밀도 연결이 가능한 첨단 기술이에요.
하지만 아직은…
- 정밀도 요구↑
- 공정 환경 까다로움 (초청정, 저온, 고정렬)
- 장비 투자 및 수율 확보 과제
📌 결론적으로
- HBM3E까지는 Micro-Bump 중심 TC 본더가 핵심
- HBM4~HBM5부터 Hybrid Bonding이 병행 도입될 예정
📅 하이브리드 본딩의 역할
HBM4로의 전환을 준비하면서, 하이브리드 본딩은 HBM6 출시 전에 중요한 기술로 자리잡을 것입니다.
기존의 범프 본딩 기술보다 더 높은 속도와 효율성을 제공하지만, 아직은 실험 단계에 있는 기술입니다.
적용되기까지 기술 개발과 검증이 필요하며, 완벽하게 실용화되기까지는 시간이 더 걸릴 것입니다.
⚠️ 즉, 하이브리드 본딩은 HBM4와 이후의 기술로 자리잡을 예정이지만, 당분간은 TC 본더와 병행하여 사용될 것입니다.
🧩 기술 비교 요약
| 접합 방식 | 열+압력+범프 | 금속 직접 접합(Cu–Cu) |
| 적용 시기 | 현재 HBM3E까지 | 2026년 HBM4E부터(예측) |
| 장점 | 기술 성숙, 수율 우수 | 더 얇고 빠른 신호 전달 |
| 한계 | 피치 한계(~40µm) | 공정 비용·정밀도 난이도 높음 |
TC 본더는 단순한 장비가 아니라,
HBM 시대의 기반 인프라이자 생산 수율을 결정짓는 열쇠에요.
특히 한미반도체는 2026년까지 TC 본더 시장 점유율 71%를 확보할 것이라는 전망이 나올 만큼
글로벌 반도체 생태계에서 독보적인 입지를 다지고 있어요.
단기엔 TC 본더가 중심,
중장기엔 Hybrid Bonding과 병행 발전하는 구조 속에서
한미와 그 경쟁사들의 행보가 더욱 주목됩니다.
❓ 자주 묻는 질문
Q1. TC 본더는 어떤 장비인가요?
➡️ HBM 다이들을 고열+압력으로 마이크로 범프를 통해 정밀하게 접합하는 장비예요.
Q2. 한미가 왜 이렇게 점유율이 높죠?
➡️ 수율, 신뢰성, 고객사 대응력 모두 최고 수준이기 때문이에요.
Q3. "납땜 본딩"이란 표현도 쓰지 않나요?
➡️ 정확한 업계 표현은 Micro-Bump Bonding 또는 Solder Bump 방식이에요.
Q4. 하이브리드 본딩이 TC 본더를 대체하나요?
➡️ 당분간은 아니에요! 2026년 이후에야 병행 도입이 시작될 전망이에요.
Q5. 투자 관점에서 TC 본더는 어떤가요?
➡️ HBM 수요가 빠르게 늘고 있기 때문에, 2028년까지는 TC 본더 관련 기업들의 실적도 유망해요.